Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
TH58BYG2S3HBAI4
| Hersteller: | Toshiba Memory America, Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Memory |
| Datenblatt: | TH58BYG2S3HBAI4 |
| Beschreibung: | 4G SLC NAND BGA 24NM |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
| Produktkategorie | Memory |
| Serie | Benand™ |
| Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8) |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Teilstatus | Active |
| Speicherformat | FLASH |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 63-VFBGA |
| Speicherschnittstelle | - |
| Spannung - Versorgung | - |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C |
| Lieferanten-Gerätepaket | 63-TFBGA (9x11) |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
Auf Lager 210 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $6.50 | $6.37 | $6.24 |
Minimale: 1
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