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TH58BYG2S3HBAI4

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: TH58BYG2S3HBAI4
Beschreibung: 4G SLC NAND BGA 24NM
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
Produktkategorie Memory
Serie Benand™
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 63-VFBGA
Speicherschnittstelle -
Spannung - Versorgung -
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C
Lieferanten-Gerätepaket 63-TFBGA (9x11)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 210 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$6.50 $6.37 $6.24
Minimale: 1

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