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TH58BVG2S3HTAI0

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: TH58BVG2S3HTAI0
Beschreibung: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
Produktkategorie Memory
Serie Benand™
Verpackung Tray
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Zugriffszeit 25ns
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 48-TSOP I
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns

Auf Lager 167 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.34 $5.23 $5.13
Minimale: 1

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