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TC58CVG2S0HQAIE

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: TC58CVG2S0HQAIE
Beschreibung: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
Produktkategorie Memory
Serie -
Verpackung Tray
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Zugriffszeit 280µs
Speichergröße 4Gb (512M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Taktfrequenz 104MHz
Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O
Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 16-SOP
Schreibzykluszeit - Wort, Seite -

Auf Lager 59 pcs

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