TC58BYG0S3HBAI6
Hersteller: | Toshiba Memory America, Inc. |
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Produktkategorie: | Memory |
Datenblatt: | TC58BYG0S3HBAI6 |
Beschreibung: | IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Toshiba Memory America, Inc. |
Produktkategorie | Memory |
Serie | Benand™ |
Verpackung | Tray |
Technologie | FLASH - NAND (SLC) |
Zugriffszeit | 25ns |
Speichergröße | 1Gb (128M x 8) |
Speichertyp | Non-Volatile |
Teilstatus | Active |
Speicherformat | FLASH |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 67-VFBGA |
Speicherschnittstelle | Parallel |
Spannung - Versorgung | 1.7V ~ 1.95V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 85°C (TA) |
Lieferanten-Gerätepaket | 67-VFBGA (6.5x8) |
Schreibzykluszeit - Wort, Seite | 25ns |
Auf Lager 54 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1