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TC58BYG0S3HBAI6

Hersteller: Toshiba Memory America, Inc.
Produktkategorie: Memory
Datenblatt: TC58BYG0S3HBAI6
Beschreibung: IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Memory America, Inc.
Produktkategorie Memory
Serie Benand™
Verpackung Tray
Technologie FLASH - NAND (SLC)
Zugriffszeit 25ns
Speichergröße 1Gb (128M x 8)
Speichertyp Non-Volatile
Teilstatus Active
Speicherformat FLASH
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 67-VFBGA
Speicherschnittstelle Parallel
Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V
Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA)
Lieferanten-Gerätepaket 67-VFBGA (6.5x8)
Schreibzykluszeit - Wort, Seite 25ns

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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