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TSM900N10CH X0G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TSM900N10CH X0G
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 15A TO251
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 90mOhm @ 5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-251 (IPAK)
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1480pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 3629 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.65 $0.64 $0.62
Minimale: 1

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