TSM80N1R2CH C5G
Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TSM80N1R2CH C5G |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2.75A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 110W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-251 (IPAK) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 19.4nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 685pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 5.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 3730 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$1.51 | $1.48 | $1.45 |
Minimale: 1