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TSM680P06CZ C0G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TSM680P06CZ C0G
Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 68mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 42W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 16.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 870pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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