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TSM60NB900CH C5G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TSM60NB900CH C5G
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 900mOhm @ 1.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 36.8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-251 (IPAK)
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 315pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 14169 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$1.03 $1.01 $0.99
Minimale: 1

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