TSM60N1R4CH C5G
Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TSM60N1R4CH C5G |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 3.3A TO251 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Not For New Designs |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 38W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-251 (IPAK) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 7.7nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 370pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 99 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.44 | $0.43 | $0.42 |
Minimale: 1