Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

TSM4NB60CI C0G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TSM4NB60CI C0G
Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A ITO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2.5Ohm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 50W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket ITO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max.) 14.5nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 500pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 926 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.91 $0.89 $0.87
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRFU3910PBF
Infineon Technologies
$0.79
STP3NK50Z
STMicroelectronics
$0.65
IXFN82N60Q3
IXYS
$41.76
IXTN22N100L
IXYS
$40.67