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TSM22P10CI C0G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TSM22P10CI C0G
Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 140mOhm @ 20A, 10V
Verlustleistung (Max.) 48W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket ITO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2250pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 22A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 51 pcs

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