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TSM200N03DPQ33 RGG

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: TSM200N03DPQ33 RGG
Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 20W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 20mOhm @ 10A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-PDFN (3x3)
Gate Charge (Qg) (Max.) 4nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 345pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)

Auf Lager 2042 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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