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TSM089N08LCR RLG

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TSM089N08LCR RLG
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.9mOhm @ 12A, 10V
Verlustleistung (Max.) 83W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-PDFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max.) 90nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6119pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 67A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 3723 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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