TSM061NA03CV RGG
Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | TSM061NA03CV RGG |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | - |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Discontinued at Digi-Key |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 6.1mOhm @ 16A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 44.6W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-PDFN (3x3) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 19.3nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1136pF @ 15V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 66A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 75 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1