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S1JL R3G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: S1JL R3G
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DO-219AB
Kapazität - Vr, F 9pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket Sub SMA
Reverse Recovery Time (trr) 1.8µs
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 1A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.1V @ 1A

Auf Lager 900 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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