S1BLHR3G
Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
Datenblatt: | S1BLHR3G |
Beschreibung: | DIODE GEN PURP 100V 1A SUB SMA |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Diodentyp | Standard |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-219AB |
Kapazität - Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | Sub SMA |
Reverse Recovery Time (trr) | 1.8µs |
Strom - Reverse Leakage - Vr | 5µA @ 100V |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 1A |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 175°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.1V @ 1A |
Auf Lager 55 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.06 | $0.06 | $0.06 |
Minimale: 1