Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
RS1JLHR3G
| Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | RS1JLHR3G |
| Beschreibung: | DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Diodentyp | Standard |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-219AB |
| Kapazität - Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | Sub SMA |
| Reverse Recovery Time (trr) | 250ns |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 5µA @ 600V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 800mA |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.3V @ 800mA |
Auf Lager 58 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.07 | $0.07 | $0.07 |
Minimale: 1
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