RS1JLHM2G
Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
Datenblatt: | RS1JLHM2G |
Beschreibung: | DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Diodentyp | Standard |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | DO-219AB |
Kapazität - Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | Sub SMA |
Reverse Recovery Time (trr) | 250ns |
Strom - Reverse Leakage - Vr | 5µA @ 600V |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 800mA |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.3V @ 800mA |
Auf Lager 55 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.05 | $0.05 | $0.05 |
Minimale: 1