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RS1JLHM2G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: RS1JLHM2G
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Tape & Reel (TR)
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DO-219AB
Kapazität - Vr, F 10pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket Sub SMA
Reverse Recovery Time (trr) 250ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 800mA
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.3V @ 800mA

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.05 $0.05 $0.05
Minimale: 1

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