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MUR4L20HB0G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: MUR4L20HB0G
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 4A DO201AD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Bulk
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall DO-201AD, Axial
Kapazität - Vr, F 65pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket DO-201AD
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 200V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 4A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 175°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 890mV @ 4A

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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