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HS1M R3G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: HS1M R3G
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DO-214AC, SMA
Kapazität - Vr, F 20pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket DO-214AC (SMA)
Reverse Recovery Time (trr) 75ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 1000V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 1A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.7V @ 1A

Auf Lager 10331 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.49 $0.48 $0.47
Minimale: 1

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