F1T6GHA0G
Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
Datenblatt: | F1T6GHA0G |
Beschreibung: | DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Verpackung | Tape & Box (TB) |
Diodentyp | Standard |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | T-18, Axial |
Kapazität - Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | TS-1 |
Reverse Recovery Time (trr) | 500ns |
Strom - Reverse Leakage - Vr | 5µA @ 800V |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 1A |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.3V @ 1A |
Auf Lager 57 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1