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F1T6G A0G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: F1T6G A0G
Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Tape & Box (TB)
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall T-18, Axial
Kapazität - Vr, F 15pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket TS-1
Reverse Recovery Time (trr) 500ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 800V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 800V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 1A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.3V @ 1A

Auf Lager 98 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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