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ESH3D V6G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: ESH3D V6G
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DO-214AB, SMC
Kapazität - Vr, F 45pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket DO-214AB (SMC)
Reverse Recovery Time (trr) 20ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 200V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 3A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 175°C

Auf Lager 71 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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