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ESH1JM RSG

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: ESH1JM RSG
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1A MICRO SMA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 2-SMD, Flat Lead
Kapazität - Vr, F 3pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket Micro SMA
Reverse Recovery Time (trr) 25ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 1µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 1A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1.5V @ 1A

Auf Lager 1318 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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