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ES3DBHM4G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: ES3DBHM4G
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AA
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Tape & Reel (TR)
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall DO-214AA, SMB
Kapazität - Vr, F 46pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket DO-214AA (SMB)
Reverse Recovery Time (trr) 35ns
Strom - Reverse Leakage - Vr 10µA @ 200V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 3A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1V @ 3A

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.16 $0.16 $0.15
Minimale: 1

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