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BZD17C51P R3G
| Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Zener - Single |
| Datenblatt: | BZD17C51P R3G |
| Beschreibung: | DIODE ZENER 51V 800MW SUB SMA |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Produktkategorie | Diodes - Zener - Single |
| Serie | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Toleranz | ±5.88% |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 800mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-219AB |
| Impedanz (Max)(Zzt) | 60 Ohms |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | Sub SMA |
| Spannung - Zener (Nom) (Vz) | 51V |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 1µA @ 39V |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1.2V @ 200mA |
Auf Lager 80 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.09 | $0.09 | $0.09 |
Minimale: 1
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