6A80GHB0G
Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
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Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
Datenblatt: | 6A80GHB0G |
Beschreibung: | DIODE GEN PURP 800V 6A R-6 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Verpackung | Bulk |
Diodentyp | Standard |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | R6, Axial |
Kapazität - Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | R-6 |
Strom - Reverse Leakage - Vr | 10µA @ 800V |
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 6A |
Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 1V @ 6A |
Auf Lager 52 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1