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1N5822HB0G
| Hersteller: | Taiwan Semiconductor Corporation |
|---|---|
| Produktkategorie: | Diodes - Rectifiers - Single |
| Datenblatt: | 1N5822HB0G |
| Beschreibung: | DIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Produktkategorie | Diodes - Rectifiers - Single |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Verpackung | Bulk |
| Diodentyp | Schottky |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | DO-201AD, Axial |
| Kapazität - Vr, F | 200pF @ 4V, 1MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | DO-201AD |
| Strom - Reverse Leakage - Vr | 500µA @ 40V |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) | 3A |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 125°C |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) | 525mV @ 3A |
Auf Lager 50 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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