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1N5406G B0G

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie: Diodes - Rectifiers - Single
Datenblatt: 1N5406G B0G
Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Produktkategorie Diodes - Rectifiers - Single
Geschwindigkeit Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Serie -
Verpackung Bulk
Diodentyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall DO-201AD, Axial
Kapazität - Vr, F 25pF @ 4V, 1MHz
Lieferanten-Gerätepaket DO-201AD
Strom - Reverse Leakage - Vr 5µA @ 600V
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Aktuell - Durchschnittlich korrigiert (Io) 3A
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) 1V @ 3A

Auf Lager 91 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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