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STY112N65M5

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STY112N65M5
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ V
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Basis-Teilenummer STY112
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 22mOhm @ 47A, 10V
Verlustleistung (Max.) 625W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket MAX247™
Gate Charge (Qg) (Max.) 350nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 16870pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 96A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 72 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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