STW65N65DM2AG
Hersteller: | STMicroelectronics |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | STW65N65DM2AG |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 650V 60A |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Basis-Teilenummer | STW65N |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 50mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 446W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 120nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 5500pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 470 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$8.75 | $8.58 | $8.40 |
Minimale: 1