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STW56N65M2-4

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STW56N65M2-4
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V I2PAKFP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ M2
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-4
Basis-Teilenummer STW56N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 62mOhm @ 24.5A, 10V
Verlustleistung (Max.) 358W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-4L
Gate Charge (Qg) (Max.) 93nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3900pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 49A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 62 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.31 $5.20 $5.10
Minimale: 1

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