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STW3N170

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STW3N170
Beschreibung: MOSFET N-CH 1700V 2.6A TO247-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie PowerMESH™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Basis-Teilenummer STW3N
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 13Ohm @ 1.3A, 10V
Verlustleistung (Max.) 160mW
Lieferanten-Gerätepaket TO-247-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 44nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 1700V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1100pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 99 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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