Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

STW24N60DM2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STW24N60DM2
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie FDmesh™ II Plus
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Basis-Teilenummer STW24N
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 200mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 150W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Gate Charge (Qg) (Max.) 29nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1055pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 117 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.15 $5.05 $4.95
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IPA60R099P6XKSA1
Infineon Technologies
$5.12
FDP020N06B-F102
ON Semiconductor
$5.15
IXTQ44P15T
IXYS
$5.11
IRFP260PBF
Vishay / Siliconix
$5.11
IPW60R125C6FKSA1
Infineon Technologies
$5.09