STS3P6F6
Hersteller: | STMicroelectronics |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | STS3P6F6 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
FET-Typ | P-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Basis-Teilenummer | STS3P |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 160mOhm @ 1.5A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.7W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 6.4nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 340pF @ 48V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 2180 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.98 | $0.96 | $0.94 |
Minimale: 1