STP80N70F6
Hersteller: | STMicroelectronics |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | STP80N70F6 |
Beschreibung: | MOSFET N CH 68V 96A TO-220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | DeepGATE™, STripFET™ VI |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Basis-Teilenummer | STP80N |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 8mOhm @ 48A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 110W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 99nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 68V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 5850pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 96A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 87 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$0.81 | $0.79 | $0.78 |
Minimale: 1