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STP80N70F6

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STP80N70F6
Beschreibung: MOSFET N CH 68V 96A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie DeepGATE™, STripFET™ VI
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Basis-Teilenummer STP80N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8mOhm @ 48A, 10V
Verlustleistung (Max.) 110W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 99nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 68V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 5850pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 96A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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