STP27N60M2-EP
Hersteller: | STMicroelectronics |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | STP27N60M2-EP |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | MDmesh™ M2-EP |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±25V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Basis-Teilenummer | STP27N |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 163mOhm @ 10A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 170W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 33nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1320pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 34 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$5.23 | $5.13 | $5.02 |
Minimale: 1