Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

STP26N60DM6

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STP26N60DM6
Beschreibung: N-CHANNEL 600 V 0.110 OHM TYP. 2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ DM6
FET-Typ N-Channel
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Basis-Teilenummer STP26N
Vgs(th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 195mOhm @ 9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 130W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 24nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 940pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 18A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 176 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$4.03 $3.95 $3.87
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IXTP110N12T2
IXYS
$3.98
TK17E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
$3.98
R6030KNZC8
ROHM Semiconductor
$3.98
IRFIB6N60APBF
Vishay / Siliconix
$3.97
SIHB22N60E-E3
Vishay / Siliconix
$3.92