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STP190N55LF3

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STP190N55LF3
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie STripFET™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±18V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Basis-Teilenummer STP190
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.7mOhm @ 30A, 10V
Verlustleistung (Max.) 312W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max.) 80nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 6200pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

Auf Lager 1 pcs

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