Image is for reference only , details as Specifications

STP18N65M2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STP18N65M2
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A TO220
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ M2
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Basis-Teilenummer STP18N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 330mOhm @ 6A, 10V
Verlustleistung (Max.) 110W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-220
Gate Charge (Qg) (Max.) 20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 770pF @ 100V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1004 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.11 $2.07 $2.03
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IRF1407PBF
Infineon Technologies
$2.11
AOTF240L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
$2.11
IRFB31N20DPBF
Infineon Technologies
$2.08
IRFZ44VZSPBF
Infineon Technologies
$2.08
IRFS4010TRL7PP
Infineon Technologies
$0