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STI4N62K3

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STI4N62K3
Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie SuperMESH3™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Basis-Teilenummer STI4N
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 2Ohm @ 1.9A, 10V
Verlustleistung (Max.) 70W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 620V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 550pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 96 pcs

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