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STI10NM60N

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: STI10NM60N
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie MDmesh™ II
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Basis-Teilenummer STI10N
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 550mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 70W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK (TO-262)
Gate Charge (Qg) (Max.) 19nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 540pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 970 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.31 $2.26 $2.22
Minimale: 1

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