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STH80N10F7-2
| Hersteller: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | STH80N10F7-2 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | DeepGATE™, STripFET™ VII |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | ±20V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Basis-Teilenummer | STH80N |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 9.5mOhm @ 40A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 110W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | H2Pak-2 |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 45nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 3100pF @ 50V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 80A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 1626 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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