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STGYA120M65DF2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGYA120M65DF2
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie *
IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 420nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 625W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Exposed Pad
Testbedingung 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGYA120
Schalten der Energie 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 66ns/185ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket MAX247™
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A
Reverse Recovery Time (trr) 202ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 160A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 360A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 444 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$11.03 $10.81 $10.59
Minimale: 1

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