STGYA120M65DF2
Hersteller: | STMicroelectronics |
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Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | STGYA120M65DF2 |
Beschreibung: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | * |
IGBT-Typ | NPT, Trench Field Stop |
Verpackung | Tube |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 420nC |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 625W |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 Exposed Pad |
Testbedingung | 400V, 120A, 4.7Ohm, 15V |
Basis-Teilenummer | STGYA120 |
Schalten der Energie | 1.8mJ (on), 4.41mJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 66ns/185ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | MAX247™ |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 120A |
Reverse Recovery Time (trr) | 202ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 160A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 360A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 444 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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$11.03 | $10.81 | $10.59 |
Minimale: 1