STGWA80H65DFB
Hersteller: | STMicroelectronics |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
Datenblatt: | STGWA80H65DFB |
Beschreibung: | IGBT BIPO 650V 80A TO247-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
Serie | - |
IGBT-Typ | Trench Field Stop |
Verpackung | Tube |
Eingabetyp | Standard |
Gate Charge | 414nC |
Teilstatus | Obsolete |
Leistung - Max | 469W |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Testbedingung | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
Basis-Teilenummer | STGWA80 |
Schalten der Energie | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
TD (ein/aus) bei 25°C | 84ns/280ns |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 Long Leads |
Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
Reverse Recovery Time (trr) | 85ns |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 120A |
Strom - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 262 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$7.50 | $7.35 | $7.20 |
Minimale: 1