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STGW8M120DF3
| Hersteller: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | STGW8M120DF3 |
| Beschreibung: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | M |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 32nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 167W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Testbedingung | 600V, 8A, 33Ohm, 15V |
| Basis-Teilenummer | STGW80 |
| Schalten der Energie | 390µJ (on), 370µJ (Off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 20ns/126ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-3 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 8A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 103ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 16A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 32A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 65 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $3.48 | $3.41 | $3.34 |
Minimale: 1
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