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STGW80H65DFB-4
| Hersteller: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | STGW80H65DFB-4 |
| Beschreibung: | IGBT BIPO 650V 80A TO247 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 414nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 469W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-4 |
| Testbedingung | 400V, 80A, 10Ohm, 15V |
| Basis-Teilenummer | STGW80 |
| Schalten der Energie | 2.1mJ (on), 1.5mJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 84ns/280ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247-4L |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2V @ 15V, 80A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 120A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 240A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 75 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $8.83 | $8.65 | $8.48 |
Minimale: 1
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