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STGW75M65DF2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGW75M65DF2
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie M
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 225nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 468W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGW75
Schalten der Energie 690µJ (on), 2.54mJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 47ns/125ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
Reverse Recovery Time (trr) 165ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 120A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 225A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 600 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$5.79 $5.67 $5.56
Minimale: 1

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