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STGW30M65DF2

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: STGW30M65DF2
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller STMicroelectronics
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Tube
Eingabetyp Standard
Gate Charge 80nC
Teilstatus Active
Leistung - Max 258W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Testbedingung 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Basis-Teilenummer STGW30
Schalten der Energie 300µJ (on), 960µJ (off)
TD (ein/aus) bei 25°C 31.6ns/115ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket TO-247
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr) 140ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 120A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 195 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$3.39 $3.32 $3.26
Minimale: 1

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