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STGW10M65DF2
| Hersteller: | STMicroelectronics |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | STGW10M65DF2 |
| Beschreibung: | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | M |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Verpackung | Tube |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 28nC |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 115W |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Testbedingung | 400V, 10A, 22Ohm, 15V |
| Basis-Teilenummer | STGW10 |
| Schalten der Energie | 120µJ (on), 270µJ (off) |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 19ns/91ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | TO-247 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2V @ 15V, 10A |
| Reverse Recovery Time (trr) | 96ns |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 20A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 650V |
Auf Lager 4 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $1.86 | $1.82 | $1.79 |
Minimale: 1
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